ชิปอุณหภูมิสูง-

• หน่วยความจำแฟลช NAND

  ความจุสูง-และขนาดใหญ่-
  ความเร็วในการอ่าน/เขียนที่รวดเร็วในอุณหภูมิที่สูงมาก
  สภาพการทำงานที่สมบุกสมบัน เช่น การตัดไม้ในบ่อน้ำมันและก๊าซ

  เพิ่มเติม
• หน่วยความจำแฟลช NOR

  ทำงานได้อย่างน่าเชื่อถือตั้งแต่ -45 องศาถึง +210 องศา
  พลังสแตนด์บายต่ำมาก-
  ความสามารถในการอ่าน/เขียนที่รวดเร็วข้ามอุณหภูมิที่สูงมาก

  เพิ่มเติม
• เครื่องรับส่งสัญญาณอุณหภูมิสูง-

  ช่วงอุณหภูมิในการทำงานที่กำหนด -40~+210 องศา
  ไดรเวอร์ลัดวงจร-การป้องกันเอาต์พุตของวงจร
  ตัวรับสัญญาณเปิด-การป้องกันข้อบกพร่องของวงจร

  เพิ่มเติม
• ชิปแหล่งแรงดันอ้างอิงช่วงอุณหภูมิ-สูง-

  อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด 210 องศา
  เสียงรบกวนต่ำมาก- (0.1Hz ถึง 10Hz): 1.2μV p-p
  กระแสไฟขาออกสูง (+10 mA) และกระแสซิงค์ (-5mA)

  เพิ่มเติม
• ชิปตรวจสอบแหล่งจ่ายไฟ

  อุณหภูมิในการทำงานสูงสุดที่ -40~+210 องศา
  ฟังก์ชั่น Watchdog และรีเซ็ตด้วยตนเอง
  เข้ากันได้กับ MAR706R

  เพิ่มเติม
• โปรเซสเซอร์ ARM อุณหภูมิสูง-

  -40 องศา ~ +175 องศา อุณหภูมิการทำงาน พิสัย
  ชุดอินเทอร์เฟซการสื่อสารที่หลากหลาย
  ความถี่ในการทำงานสูงถึง 80 MHz

  เพิ่มเติม
• เครื่องปรับแรงดันไฟฟ้าเชิงเส้น

  -40 องศาถึง +175 องศา อุณหภูมิในการทำงาน พิสัย
  ขนาดอัจฉริยะและความเสถียรสูง
  เสียงรบกวนต่ำและความแม่นยำสูง

  เพิ่มเติม
• แอมพลิฟายเออร์ปฏิบัติการที่แม่นยำ

  กระบวนการบรรจุภัณฑ์ที่อุณหภูมิสูง-
  ช่วงอุณหภูมิในการทำงานคือ -40 องศาถึง +210 องศา

  เพิ่มเติม